Полное описание

Улучшенные рабочие характеристики

Скорости чтения и записи отличаются удивительной стабильностью даже при самых высоких нагрузках и при использовании многозадачного режима. Скорость последовательной записи накопителя 860 EVO с использованием интеллектуальной технологии записи (Intelligent TurboWrite) достигает 520 МБ/с*. Скорость последовательного чтения достигает 550 МБ/с. Размер буфера TurboWrite* для увеличения скорости передачи файлов увеличен с 12 ГБ до 78 ГБ.

Улучшенная надежность

Храните и обрабатывайте 4K видео и 3D данные с помощью новейших программ и не беспокойтесь о сохранности данных. Ресурс накопителя по записи (TBW*) в 8 раз превышает аналогичную характеристику предыдущей модели накопителя - 850 PRO SSD. Технология V-NAND обеспечивает рабочий ресурс до 2400 TBW

Smart совместимость

Оцените преимущества увеличения скорости коммуникации SSD с вашей хост системой. Отлаженный ECC* алгоритм и новый MJX контроллер обладают более высокой скоростью работы, а более эффективно работающая команда queued trim обеспечивает улучшенную совместимость с ОС Linux. Наши усовершенствованные технологии обеспечивают улучшенную совместимость накопителя 860 EVO с вашей компьютерной системой.




Техническое описание

• Емкость: 500 ГБ
• Форм-фактор: M.2 2280
• Интерфейс: SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами
• Размеры (ШxВxГ): Макс. 80.15 x Макс. 22.15 x Макс. 2.38 (мм)
• Вес (г.): Макс. 8 г.
• Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC (3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку)
• Контроллер: MJX контроллер Samsung
• Буферная память: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
• Особенности: Поддержка TRIM, Поддержка S.M.A.R.T, GC (сборка мусора), Поддержка шифрования, Поддержка WWN 
• Последовательное чтение: до 550 MБ/с * 
• Последовательная запись: до 520 MБ/с *
• Случайное чтение (4 КБ, QD32): до 97 000 операций/сек. *
• Случайная запись (4 КБ, QD32): до 88 000 операций/сек. *
• Случайное чтение (4KB, QD1): до 10 000 операций/сек. *
• Случайная запись (4KB, QD1): до 42 000 операций/сек. *
• Надежность (MTBF): 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
• Устойчивость к ударам: 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)

Комплектация

Внутренний накопитель

Руководство пользователя